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由于led 出身于半导体行业，一直以来，led 都是按照iec 60825-1 进行检测。但是照明用led 的宽光谱和扩散光束输出特性与激光led 存在显著的不同，iec6082
https://www.alighting.cn/resource/2013/11/15/113332_65.htm2013/11/15 11:33:32
极(p极，n极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
附件是《全自动封装机设备在led行业中的应用于关键技术方案》的资料，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/26/173710_84.htm2013/9/26 17:37:10
一份出自深圳市大族光电设备有限公司的关于介绍《全自动封装机设备在led行业中的应用于关键技术方案》的讲义资料，主讲人是张伟，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/6/19 15:13:17
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zno薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(n2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
分析了脉冲激光作用下gan的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下gan/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上制备了高度c轴取向的mgzno薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性
https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
