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首尔与威宝共同推出新led芯片技术的卤素替代灯

npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化(GaN)衬底用于氮化的外延生长,从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层

  https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20

晶元GaN-on-si晶片即将量产 称霸led照明?

晶元光电氮化(GaN)布局再下一城。继年初取得德国allos semiconductors矽基氮化(GaN-on-si)的技术授权后,晶元光电即将于近期投产GaN-on-s

  https://www.alighting.cn/pingce/20151214/135203.htm2015/12/14 9:26:23

kyma公司推出10英寸aln-on-sapphire基板

近日,kyma科技公司宣布生产出直径为10英寸的蓝宝石氮化铝(aln-on-sapphire)基板。该蓝宝石氮化铝基板使用了专利pvdnc技术,可以提高蓝光、绿光和白光led的产

  https://www.alighting.cn/pingce/20120606/122345.htm2012/6/6 9:53:50

普瑞东芝共同研发出行业顶级8英寸硅基氮化led芯片

该芯片仅1.1毫米,在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达 614mw。面对全球液晶面板和照明系统对led芯片日益增长的需求,普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步

  https://www.alighting.cn/pingce/2012521/n050140005.htm2012/5/21 16:53:28

powdec 发表了利用GaN类半导体新二极管sbd

近日,从事GaN外延基板开发及销售等业务的风险企业powdec,公开开发表了利用GaN类半导体的肖特基势垒二极管(sbd),预估2012年前量产。

  https://www.alighting.cn/pingce/20101206/123155.htm2010/12/6 9:26:47

GaN基高压交流110v-led芯片——2019神灯奖申报技术

GaN基高压交流110v-led芯片,为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37

松下研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管

2018年2月23日,松下宣布研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管,可以连续稳定的工作,阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加GaN功率晶体管的工作速度,可以进一

  https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54

中国梦的中国芯:晶能光电硅衬底大功率led芯片

晶能光电ceo王敏博士给阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信。

  https://www.alighting.cn/pingce/20130514/122103.htm2013/5/14 13:50:05

一种能提高led发光材料质量的新技术

研究人员介绍,通过该技术,相同的输入电能能够多产生2倍的输出光能,对于低电能输入和紫外发光范围的led而言,这种增长非常可观。

  https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123078.htm2011/2/11 13:28:54

助力uv-c led器件开发,欧司朗与hexatech签战略协议

h的知识产权(ip)许可,其中,前者涉及作为hexatech公司2英寸(直径)基板开发项目的直接支持的氮化铝(aln)基

  https://www.alighting.cn/pingce/20170220/148268.htm2017/2/20 9:34:49

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