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结果表明：InGaN基白光led蓝光和荧光的峰值波长与结温没有明显的线性关系;蓝光的光谱线宽以及荧光和蓝光峰值强度的比值与结温具有良好的线性关系。
https://www.alighting.cn/2015/3/13 9:52:54
本文为台湾新世纪InGaN led chips (12×12) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127381.htm2011/7/28 16:45:26
过去10年，液晶技术成为显示领域的唯一主宰，未来10年，被誉为次时代显示技术的oled(organic light emitting diode，有机发光二极管)理应取缔液晶技术，
https://www.alighting.cn/resource/20150209/123612.htm2015/2/9 11:42:57
在led的pn结上施加正向电压时，pn结会有电流经过，电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子。
https://www.alighting.cn/resource/20130217/126063.htm2013/2/17 13:54:15
在led的pn结上施加正向电压时，pn结会有电流流过。电子和空穴在pn结过渡层中复合会产生光子，然而并不是每一对电子和空穴都会产生光子，由于led的pn结作为杂质半导体，存在着材料
https://www.alighting.cn/2011/11/18 16:34:31
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
附件为论坛嘉宾的演讲内容《量子点荧光材料在led中的应用》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20160617/141269.htm2016/6/17 13:53:17
利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46
分析表明在老化过程中InGaN/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加，形成了增强的极化电场屏蔽效应，减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变
https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19
文章简述了提高外量子效率的集中有效途径，如便面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射出结构、激光剥离技术，纳米压印与su8胶相结合技术、光
https://www.alighting.cn/2014/12/22 13:37:39
