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利用mocvd系统在al2o3衬底上生长InGaN材料和InGaN/gan量子阱结构材料。研究发现,InGaN材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于InGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
电子制造商富士康(foxconn)开发出利用纳米微粒掺杂局限层(confining layer)的方式来，让氮化铟镓(InGaN)与砷化铝镓(algaas)活性层的晶格排列更平
https://www.alighting.cn/resource/20090630/128710.htm2009/6/30 0:00:00
本文档为台湾新世纪InGaN led chips (10×10) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127378.htm2011/7/28 17:31:47
质的InGaN，并首次使用这一材料制造出最高品质的蓝、绿光led，实现着一个又一个的第一
https://www.alighting.cn/resource/20070903/128523.htm2007/9/3 0:00:00
本文档为台湾新世纪InGaN led chips (14×14) led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127375.htm2011/7/28 18:11:58
中国科学院的陈弘与其研究团队利用晶格松弛(lattice relaxation)的特性，来控制氮化镓/氮化铟镓(gan/InGaN)量子阱中铟的沉淀(precipitatio
https://www.alighting.cn/resource/20090505/128690.htm2009/5/5 0:00:00
目前应用于蓝光led、dvd雷射上的InGaN，因为没有适合结晶的基板，所以与gaas等传统的led材料相比，存在着几乎差100万倍以上的结构缺 陷问题，例如不完全结晶、有缺损等
https://www.alighting.cn/resource/20061009/128941.htm2006/10/9 0:00:00
位较好的符合，表明了在多量子阱发光二极管中由于inn和gan相分离而形成的富in类量子点结构，主导着InGaN基发光二极管发光波长，体现了InGaN基发光二极管量子点发光的本质。同
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
室温下观察到zno/znmgo 单量子阱的量子约束效应，这说明生长的单量子阱有良好的界面和结晶性质。
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126147.htm2013/1/21 9:38:45
