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发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas(砷化镓)、gap(磷化镓)、gaasp(磷砷化镓)等半导体制成的，其核心是pN结。因此它具有一般p- N结的i-N特性，即正向导通，反
https://www.alighting.cn/resource/20130922/125301.htm2013/9/22 16:24:22
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
本文通过使用a1N和al203这两种陶瓷基板作为大功率led的封装基板，主要研究了陶瓷基板作为封装基板在在改善散热方面的优势、基板工作时温度、光效和电流的关系，并和铝基覆铜板作
https://www.alighting.cn/2013/7/26 13:43:47
极(p极，N极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
采用脉冲激光沉积技术在si/蓝宝石衬底上制备了zNo薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900℃)及退火气氛(N2,o2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。并优化条
https://www.alighting.cn/2013/5/28 11:06:49
石,缓冲层为alN,N型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7N形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gaN,p型层为0.15μm的mg掺杂gaN。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将N个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用N阱和p衬底结,N阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipN结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、p掺杂的zNo薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、p掺杂分别得到N、p
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
各种电子传感器与led 灯具的奇妙结合，可以创新设计出N 款新颖的led 灯具、新奇的led 照明系统，为人类创造崭新的光世界。介绍光敏传感器、红外热释电传感器、颜色传感器与le
https://www.alighting.cn/resource/20130407/125760.htm2013/4/7 15:45:14
