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面金属反射镜与量子阱层的间距对led出光效率的影响,并采用f-p干涉模型进行了理论分析。结果显示,光提取效率受d影响很大,随d的增加呈现类似阻尼振动的变化趋势,分别在0.73λN处和
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
本论文主要围绕提高g8N基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gaN基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gaN薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
mcob 技术，即多杯集成式cob 封装技术，是led 集群封装技术英文muilti chips oN board 的缩写，cob 技术是在基板上把N个芯片集成在一起进行封装，然
https://www.alighting.cn/resource/20130315/125879.htm2013/3/15 10:18:44
压△vf 是N 颗led 的总和。led 灯具选用36v 以下的交流电源可以考虑非隔离供电，如选用220v 和100v 的交流电源应考虑隔离供
https://www.alighting.cn/2013/3/6 10:10:47
目m 与变压器变比N 对恒流效果的影响，为m 与 N 合理选择提供了依据，仿真与实验验证了优化设计的正确
https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:37:23
研究了热退火对iNgaN/gaN多量子阱led的Ni/au p gaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/au接触特性显示出可逆现象。Ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
由镓(ga)和氮(N)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365Nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gaN主要应用于光元件。通过混合铟(iN)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
代。led的发光原理简单来说是由含电洞之p型半导体与含电子之N型半导体结合成之p-N二极管，在p-N二极管两端加上顺向偏压，当电流通过时，电子与电洞流至接合面接合时会放出能量而发
https://www.alighting.cn/2012/9/17 20:51:15
本文实际解说并比较无极灯(感应式荧光灯)在国内外的案例及节能省电率，并针对日前公告之无极灯(感应式荧光灯)之国家标准c N s 1 5 5 3 5 及日本3 1 1 大地震灾后重
https://www.alighting.cn/resource/2012/5/4/102954_68.htm2012/5/4 10:29:54
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用N阱和p衬底结,N阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipN结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
