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为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片（395～410 nm），8 mw 绿光（50

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于gan（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。　　led芯片的制

http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00

全避专利led，采用美国cree芯片+日本专利荧光粉=全避专利led，可以出口日本.欧美等全世界，如果有专利纠纷我司全全负责 cree芯片smd 3528 5050 3629可

http://blog.alighting.cn/pzc1222/archive/2009/12/26/22399.html2009/12/26 15:47:00

led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395～410 nm),8 mw 绿光(50

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395～410 nm),8 mw 绿光(50

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455～475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395～410 nm),8 mw 绿光(50

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07