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si衬底gan蓝光led老化性能

为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断,本样品不灌胶,目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。

  https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20

功率型白光led光学特性退化分析

将gan蓝光芯片涂敷yag荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 w的自光发光二极管(led),对其施加900ma的电流应力,在老化过程中测量白光led的主要光学参数,考察其光学特

  https://www.alighting.cn/resource/20141113/124094.htm2014/11/13 14:26:30

平均照度计算方法

室?内?照?明?的?一?些??本?计?算?方?法。

  https://www.alighting.cn/resource/2014/11/6/18447_68.htm2014/11/6 18:04:47

不同板1 w硅衬底蓝光led老化性能研究

将硅衬底上外延生长的氮化镓led 薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑板、铜铬支撑板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑板,获得了垂直结构蓝光led 器件,并对其老化特性进

  https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34

gan蓝光led关键技术进展

本文首先综述了gan材料的本特性,分析了gan蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延,p型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21

gan倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。

  https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03

于不同衬底材料高出光效率led芯片研究进展

提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高ganled出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构

  https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38

低温原子层沉积氧化铝作为有机电致发光器件的封装薄膜

微观形貌分析、测试以及寿命测试表明,通过增加ald 的pgt,低温制备的薄膜与高温制备的薄膜的均匀性差别较小,且制备过程对oled 器件的光电性能无明显影响。

  https://www.alighting.cn/2014/10/23 11:03:15

电子束辐照对gan蓝光led性能的影响

研究了低能电子束辐照(leebi)对大功率gan 蓝光led 性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对蓝光led 进行leebi,并对比未辐照的led,研究其电

  https://www.alighting.cn/2014/10/20 11:16:19

科普:正确选择led恒流源周边元器件

在设计led恒流源时为保持严格的滞环电流控制,电感必须足够大,保证在ho,on期间,能向负载供应能量,避免负载电流显著下降,导致平均电流跌到期望值以下。

  https://www.alighting.cn/2014/10/17 10:25:33

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