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高亮度led制造如今是否应该更加重视工艺控制?如果答案是肯定的，那么我们该从传统的硅基集成电路制造中学到什么经验?
https://www.alighting.cn/2014/7/29 10:16:25
介绍了一种带有凹槽和硅通孔(throughsiliconvia，tsv)的硅基制备以及晶圆级白光led 的封装方法。针对硅基大功率led 的封装结构建立了热传导模型，并通过有限
https://www.alighting.cn/2014/7/24 9:53:19
sic功率组件主要应用于切换频率较高以及尺寸较小的电力电子装置中。然而，这样的趋势正为这类芯片的封装带来新的挑战。
https://www.alighting.cn/resource/20140710/124453.htm2014/7/10 11:29:36
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件：一个采用dpak封装的100vmosfet，以及一个同样采用dpak封装的100v肖特基二极管。led背光单元中，肖特基二极管的高漏电
https://www.alighting.cn/resource/20140626/124487.htm2014/6/26 10:36:57
为求解硅基热沉大功率led封装阵列在典型工作模式下的热传导情况，采用solidworks建立了2x2封装阵列的三围模型，模拟了其温度场分布，同时结合传热学基本原理分析计算了模型各
https://www.alighting.cn/resource/20140617/124506.htm2014/6/17 11:53:43
采取蒙特卡罗光线追踪方法，模拟gan基倒装led芯片的光提取效率，比较了蓝宝石衬底剥离前后，蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化，并对粗化微元结构和尺寸
https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19
近年来，氮化镓基发光二极管迅猛发展，它具有高亮度、低能耗、长寿命的优良特点，是发展固态照明技术的关键元器件。目前在gan基led中，氧化铟锡由于其高电导率和高透光率，已成为le
https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49
通过开环聚合制备了透明的聚( 二甲基??甲基苯基??甲基乙烯基) 硅氧烷共聚物, 考察了聚合条件对产物结构与性能 的影响。
https://www.alighting.cn/2014/5/13 10:31:58
、色分离光栅、防护片组成的光学系统产生的杂散光及会聚鬼点进行了全面分析，得出三次谐波鬼点620个，二次谐波和基频光的会聚鬼点相对较
https://www.alighting.cn/resource/20140428/124626.htm2014/4/28 13:36:55
改善泄露故障的一种方法是将肖特基二极管的额定电压从100v增加到120v，但系统温度较高时，漏电流依然是个问题。
https://www.alighting.cn/resource/20140418/124666.htm2014/4/18 10:39:31
