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通俗来讲，led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色 led等GaN类半导体材
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
以高亮度GaN 基蓝光led 为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击, 并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了GaN 基材料的基本特性, 分析了ga
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
本文为北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义，现在经张国义教授的同意，发布于新世纪led网平台分享与大家，希望能够对大家
https://www.alighting.cn/resource/20110627/127492.htm2011/6/27 16:26:36
采用 x 光双晶衍射仪分析了 GaN 基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成 GaN2-led 芯片 , 对分组抽取特定区域芯片封装成的 GaN2led 器件进行可靠性试验 。对
https://www.alighting.cn/news/20091221/V22250.htm2009/12/21 7:50:32
南韩led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg innotek积极研发“氮化镓”(gallium nitride、GaN)基板，封测
https://www.alighting.cn/news/20141020/n807366498.htm2014/10/20 9:39:39
通过用于替换嵌入led结构的蓝宝石基板的mo基板或mocu基板，可提高led芯片的散热性能，而且有助于实现led芯片的高功率化及高效率化。据介绍，目前从事厂商正在讨论导入该产品。
https://www.alighting.cn/news/20111205/99751.htm2011/12/5 16:54:01
日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)
https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21
n)或蓝宝石基材上生长led的最新成果。利用在m-plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效
https://www.alighting.cn/news/20160304/137600.htm2016/3/4 9:47:40
色雷射、尺寸达2寸，位错密度达10的5次方的半极性及非极性氮化镓(GaN)基
https://www.alighting.cn/news/20101125/116903.htm2010/11/25 9:32:04
采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
