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micro led:晶能光电硅衬底GaN基技术的又一重大应用机会

因具有超高解析度,高色彩饱和度,纳秒级响应时间以及低功耗等优点,micro led成为apple、sony、facebook、samsung、lg、osram、nichia等国际大

  https://www.alighting.cn/news/20180823/158156.htm2018/8/23 9:41:53

saphlux成功点亮半极性绿光led芯片,2d显示技术将迎来重大变革

西安赛富乐斯半导体科技有限公司在实现大尺寸、无层错半极性氮化材料量产的基础上,成功点亮了半极性绿光led芯片这一最新科研成果。

  https://www.alighting.cn/news/20180712/157620.htm2018/7/12 9:53:07

韩国kaist研发用于f-vled的低成本转移方法

队开发了一种用于在塑料上制造数千个蓝色氮化(GaN)micro led(厚度2μm)阵列的一次性转移方

  https://www.alighting.cn/news/20180620/157271.htm2018/6/20 9:32:48

pida:台湾地区led元件或转向车用、mini led等利基产品

GaN hemt等光电半导体产

  https://www.alighting.cn/news/20180517/156890.htm2018/5/17 10:16:59

科锐与nexperia签署GaN功率器件专利授权协议

科锐宣布与荷兰nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议,nexperia将有权使用科锐GaN氮化功率器件专利组合,包括了超过300项已授权美

  https://www.alighting.cn/news/20180416/156413.htm2018/4/16 10:41:13

三安/欧司朗/华灿不断扩张 led将出现产能过剩

在过去的两年中,氮化led晶元和芯片盈余一直较小。产能利用率一直很高,但在需求不确定和价格下跌的环境下,供应商不愿再做进一步投资。

  https://www.alighting.cn/news/20180403/156235.htm2018/4/3 10:17:16

日亚与osram宣布将扩大智慧财产合作

日亚化学工业株式会社与osram gmbh前于2002年及2010年已缔结专利交互授权协议,双方均可将授权专利应用于各自之氮化物半导体产品,例如蓝、绿与白色led及激光元件。

  https://www.alighting.cn/news/20180321/155767.htm2018/3/21 9:59:11

最新研究:inGaN量子井在led的局限性

氮化(inGaN)是蓝光led的关键材料,最近有国际研究团队发表有关氮化薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制,该研究在今年一月刊载于期刊《physica

  https://www.alighting.cn/news/20180223/155245.htm2018/2/23 14:43:04

国际研究:inGaN量子井在led的局限性

氮化(inGaN)是蓝光led的关键材料,最近有国际研究团队发表有关氮化薄膜中铟(indium)含量受限的核心机制,该研究在今年一月刊载于期刊《physica

  https://www.alighting.cn/news/20180125/154979.htm2018/1/25 10:46:22

sslchina2017&ifws2017即将开幕 七大开幕报告重磅来袭

半导体照明是一场成功的技术革命,是第三代半导体材料(GaN)产业化应用的突破口,已经在照明产业的变革中确立了主导地位。随着绿色、低碳、可持续发展的需求,全球半导体照明产业进入新一

  https://www.alighting.cn/news/20171025/153292.htm2017/10/25 10:30:13

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