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分析表明在老化过程中ingan/gan 多量子阱结构蓝光发光二极管量子阱内的缺陷及其束缚的载流子数量增加，形成了增强的极化电场屏蔽效应，减弱的等效极化电场导致了量子阱的能带倾斜变小
https://www.alighting.cn/2014/11/24 11:48:19
研究结果表明,对于传统结构的led 而言,2 个量子阱的结构相对于5 个和7 个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的led,研究结果显示,三角形多量子阱结构
https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:27:18
为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断，本样品不灌胶，目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。
https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20
本文对led发热问题就行了分析，强调散热技术对led发展的重要性。
https://www.alighting.cn/resource/20141114/124092.htm2014/11/14 10:58:12
将GaN基蓝光芯片涂敷yag荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 w的自光发光二极管(led)，对其施加900ma的电流应力，在老化过程中测量白光led的主要光学参数，考察其光学特
https://www.alighting.cn/resource/20141113/124094.htm2014/11/13 14:26:30
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
本文介绍了关于新材料器件进展与GaN器件封装技术研究，有兴趣的可以下载附件的pdf学习噢！~
https://www.alighting.cn/resource/20141103/124134.htm2014/11/3 13:47:38
赤崎和天野研究室于1992年在未使用inGaN单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型alGaN和n型alGaN之间夹住掺杂了zn和si的GaN层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
赤崎和天野的研究小组，就在GaN类蓝色led的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”，获奖理由中有这样一段话：“在GaN类氮化物半导体材料和元器件的研
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18
本文首先综述了GaN基材料的基本特性，分析了GaN基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延，p型掺杂，欧姆接触，刻蚀工艺，芯片切割技术，介绍了目前各项技术的工艺现状，最后指
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21
