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研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au p
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
利用gcr170型脉冲激光器nd：yag 的三次谐波(355nm)，以蓝宝石al2o3(0001)为衬底，在不同温度下采用脉冲激光沉积法制备了zno 薄膜.通过原子力显微镜、ram
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126125.htm2013/1/23 14:07:10
对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)塑料上的氧化铟锡(ito)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126128.htm2013/1/23 10:29:32
阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原
https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19
基于白光发光二极管技术的迅速发展以及荧光粉对白光led器件的发光效率、显色性和使用寿命等性能的决定性影响,系统阐述了蓝光led芯片激发用铝酸盐、硅酸盐、氮化物和氮氧化物系列黄色
https://www.alighting.cn/resource/20121222/126242.htm2012/12/22 18:05:07
新世纪led网整理了业内高工总结的关于cob封装基板，镀银层变色的原因，
https://www.alighting.cn/resource/20121210/126267.htm2012/12/10 10:09:35
led领域里有采用非常多的陶瓷材料，例如衬底材料(蓝宝石，碳化硅，氧化锌等)，荧光粉也是陶瓷材料，当然支架也有采用陶瓷。氧化铝陶瓷做支架性价比为佳，其具有高散热、低热阻、寿命长、
https://www.alighting.cn/resource/20121122/126287.htm2012/11/22 13:05:07
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
、恒定电流输出的led驱动芯片的设计。利用一阶温度补偿和比例电阻分压技术在内部集成了带隙电压基准源，并产生0.25v的参考电压。芯片设计采用的高压工艺中提供高压横向扩散金属氧化物半导
https://www.alighting.cn/resource/2012/11/5/153915_53.htm2012/11/5 15:39:15
