站内搜索
纽约州立大学布法罗分校(university at buffalo) 宣布研制出击穿电压超过1800v的β-ga2o3 mosfet [ke zeng et al, ieee el
https://www.alighting.cn/pingce/20180906/158309.htm2018/9/6 11:00:16
业内人士介绍：替换基板的led芯片制造工艺是，先在蓝宝石基板上使GaN系半导体结晶外延生长，然后将mo基板或mocu基板粘贴在GaN系半导体结晶上。随后揭下蓝宝石基板，切割成le
https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123079.htm2011/2/11 13:03:34
江风益教授研究团队的“硅衬底高效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获2015年度全国唯一一项国家技术发明一等奖，实现了江西省在该项奖励“零”的突破。
https://www.alighting.cn/pingce/20170224/148437.htm2017/2/24 9:50:09
友达光电，日前发表65寸4k2k igzo超高解析液晶电视屏技术，采用氧化铟镓锌(igzo)制程，实现3840x2160相当于四倍full hd的高精细化分辨率(ultra h
https://www.alighting.cn/pingce/20121030/122403.htm2012/10/30 9:42:35
自1999年以来，德国latec已售出第1000套原位测量设备。在美国tampa举办的国际氮化物研讨会(iwn 2010)上，laytec的kolja haberland博士在题
https://www.alighting.cn/pingce/20101025/123225.htm2010/10/25 13:44:58
