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延材料、器件设计、管芯工艺到封装和应用设计的各个方面。其中主要包括衬底材料、大失配外延低温缓冲层、p型gan的掺杂及退火激活技术、高质量InGaN材料的生长及控制技术、p
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
一、 led用红色荧光粉研究现状 1、硫化物体系 碱土金属硫化物体系是一类重要的发光基质材料。eu2+激活的cas或srs可有效被蓝光激发而发射红光，可用作InGaN蓝光芯片的
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/8/2/64436.html2010/8/2 9:55:00
续可变的三元或四元固溶体合金（algan、InGaN、alInGaN），对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围，而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性，因此在光电子领域具有极
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
型的宽禁带半导体材料，一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。gan属于直接带隙材料,可与inn,aln形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金（algan、InGaN、alinga
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
小。 （2）温度升高，势阱中电子与空穴的辐射复合几率降低，造成非辐射复合（产生热量），从而降低led的内量子效率。 （3）温度升高导致芯片的蓝光波峰向长波方向偏移，使芯
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00
于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00
对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10
