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本文档为亚洲led照明高峰论坛上，中科院物理研究所的陈弘博士讲述一种InGaN晶粒制作白光led的方法,利用特殊的单层InGaN量子阱制备技术，使蓝光和黄光两个波长的混合，首列实
https://www.alighting.cn/resource/20110621/127494.htm2011/6/21 18:26:48
应用有限元电磁场分析方法对发光二极管(led)芯片的光学传播进行模拟.对光子晶体结构的外量子效率进行了计算.特别的是,对光源的处理上,使用了点光源球面波来进行分析并且考虑了光
https://www.alighting.cn/2013/5/7 10:55:36
研究发现，在合适应力下，外量子效率可提高两倍以上，达到5.92%。iv曲线在正负偏压下的非对称变化表明器件性能的提高主要由具有极性的压电效应引起，而不是由非极性的压阻和接触效应引
https://www.alighting.cn/2013/8/13 10:38:53
内。导致生长的量子阱质量下降，同时会导致漏电严重，出光率降
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用进行一些回顾,并说明该材料的一些特殊性
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
赤崎和天野研究室于1992年在未使用InGaN单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
光InGaN led在高工作电流下创输出功率新高，且同时具有41%的外量子效率（eq
https://www.alighting.cn/resource/20070508/128492.htm2007/5/8 0:00:00
美国科学家研究出一种激励微小纳米晶体发光的新方法，该方法可用于制造亮度更高、能耗更低、寿命更长的显示设备、交通信号灯和室内照明灯等。
https://www.alighting.cn/resource/20040620/128401.htm2004/6/20 0:00:00
对InGaN/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化，发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小，绿光led到6小时隧穿电流最小。
https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34
ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量比是
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
