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si基ceo_2薄膜的发光特性

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00

lisrpo_4:tb~(3+)荧光粉的制备及发光特性

配。在紫外激发下的发射由位于490nm(5d4-7f6)、545nm(5d4-7f5)、585nm(5d4-7f4)、622nm(5d4-7f3)的四组线状构成,对应tb3

  https://www.alighting.cn/2011/9/29 14:12:32

紧凑型荧光灯的经济分析

据专家测算,实施“中国绿色照明工程”可在“九五”期间形成终端节电220亿度,削减电网荷720万千瓦,相当于少建978万千瓦装机容

  https://www.alighting.cn/resource/2008326/V436.htm2008/3/26 11:17:04

苏州高新区国际科技园二期照明项目

本文档是2014年阿拉丁神灯奖工程类参评项目——苏州高新区国际科技园二期照明项目。高新区科技大厦二期项目与一期地块毗邻,以景润路一路而隔。地块北望太湖大道,东临苏州绕城高速。锦

  https://www.alighting.cn/resource/2014/4/23/15953_06.htm2014/4/23 15:09:53

in组分对ingangan蓝光led的发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28

in组分对ingan/gan蓝光led发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14

eu3+荧光粉的制备和发光性能

结果表明,采用高温固相法在650~700℃能合成纯度较高、结晶度好的ca2li2biv3o12∶eu3+荧光粉,合成样品激发带覆盖200~400nm,发射光谱的线状发射可归属

  https://www.alighting.cn/2014/7/16 10:49:56

led用硅酸盐红色荧光粉的发展现状

展现状。硅酸盐基质红色荧光粉因其化学稳定性和热稳定性好、激发范围宽、发射强等优点在led用红色荧光粉中占有重要的地

  https://www.alighting.cn/2013/3/18 11:09:07

2012年 led背光照明细分市场投资策略报告

led背光照明仍是led增长的主要驱动力,2012年将是增长“年”。2012年led用于背光照明依旧是led产值的最大贡献应用领域,预计占led产值总比例将达到最大,约53.5

  https://www.alighting.cn/resource/20120712/126522.htm2012/7/12 11:58:18

100lm/w照明用led大功率芯片的产业化研究

围内,半宽接近20nm,led功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01ma下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350ma下发光效率达104 lm/w,并能够满足3w的应用市

  https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16

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