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性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下pl谱发光峰的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
塔，讓朝拜者如睹聖容，進而啟發內心之慈悲與智慧。自此以後，佛弟子們莫不以瞻禮佛陀的真身舍利為念。附件为袁宗南照明设计事务所《佛光山佛陀紀念館》案例，欢迎大家下载学
https://www.alighting.cn/resource/2014/8/7/185354_41.htm2014/8/7 18:53:54
以波长做参考，辐射波在它们所含的总的能量上，也是各不相同的，辐射波的力量与其振幅有关。一个波的振幅是它的高或深，以其平均点来度量，象海里的波升到最高峰，并有最深谷，深的波比浅波具
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/2/172017_31.htm2013/5/2 17:20:17
征。结果表明:源分解温度1350℃,衬底温度450～500℃,氩气流量为35sccm时,zno纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;xrd谱图中只观测到zno(002)衍射峰。表明制备的纳
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
示,inp晶体在二氧化硅间隙中的生长是均匀的,具有较好的结晶质量;高介电常数的inp的填充使人工欧泊光子晶体的光子禁带效应增强,反射峰移向长波长区.光学特性检测结果与理论计算值得到较
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
将负折射率介质层(nridl)引入到微腔有机电致发光器件(moleds)中,设计了新型的微腔器件。利用传输矩阵法对此器件的反射率大小、器件厚度对发射峰的影响以及电致发光(el)光
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125644.htm2013/5/6 15:39:16
为了使白光led光谱中红光成分增强,以更适应人眼视觉,通过对yag:ce荧光粉掺杂的改进,引入gd3+、pr3+使白光led光谱在610 nm处出现明显发射峰,并且荧光主峰发生红
https://www.alighting.cn/2011/12/5 13:47:40
https://www.alighting.cn/resource/20111123/126857.htm2011/11/23 17:33:32
l测量结果发现了位于350nm和421nm处的室温光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
米柱的形貌、晶体结构和光学特性进行了观察。sem图像观察到zno纳米柱状结构具有一定的取向性;xrd测试在2θ=34.10°处观测到强的zno(002)衍射峰,证实zno纳米柱具
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
