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测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
在分析gan led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于ingan有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
镓 gan)会因基材(如刚玉 al2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2)，这些缺陷限制了内部量子效应(internal quantum efficiency)的发
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
为实现200lm/w以上的发光效率，白色led正不断进行改进。不过，白色led所必需具备的特性已经不仅仅是发光效率了。在白色led普及的过程中，温度稳定性及显色指数等能够拉开差异的
https://www.alighting.cn/resource/20110627/127491.htm2011/6/27 19:08:40
本文档为亚洲led照明高峰论坛上，中科院物理研究所的陈弘博士讲述一种ingan晶粒制作白光led的方法,利用特殊的单层ingan量子阱制备技术，使蓝光和黄光两个波长的混合，首列实
https://www.alighting.cn/resource/20110621/127494.htm2011/6/21 18:26:48
研究标明，随着温度下降，荧光粉量子效能升高，荧光粉在led封装中的感化在于光色复合。出光减少，辐射波长也会发生变化，从而引起白光led色温、色度的转变，较高的温度还会加速荧光
https://www.alighting.cn/resource/20110513/127621.htm2011/5/13 10:37:51
性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下pl谱发光峰的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
