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led半导体照明外延及芯片技术的最新进展

自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来,基于gan基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止,商品化白光le

  https://www.alighting.cn/resource/20130830/125359.htm2013/8/30 17:48:20

牺牲ni退火对硅衬底gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

白光led照明技术的研究

本书内容包括白光led发光原理、白光led照明的研发与展望、白光led照明的种类及其特征、白光led照明的关键技术、外延基板与封装基板、白光led照明的颜色与色彩评价技术、白

  https://www.alighting.cn/resource/2013/8/28/141949_84.htm2013/8/28 14:19:49

硅基gan led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6"

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

新型通孔硅衬底gan基led结构的电流扩展分析

为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二级管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。

  https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10

led衬底、外延及芯片的技术发展趋势

别在led衬底、外延、芯片的核心技术研究方面,已取得突破性成果。对led发展提出了不同的技术路线和“终极目标”的技术方案,以及提出新的发光材料。为此,本文除简要描述半导体照明上游产

  https://www.alighting.cn/2013/8/13 9:58:57

蓝宝石等led衬底材料的选择比较

衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。

  https://www.alighting.cn/resource/20130801/125427.htm2013/8/1 15:47:37

led照明灯mocvd外延生长技术

一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯mocvd外延生长技术》的讲义资料,分享了衬底材料的选择,以及外延技术的发展趋势等内容,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01

led芯片及器件的分选测试

本文主要介绍led芯片及器件的分选测试,led的分选有两种方法:一是以芯片为基础的测试分选,二是对封装好的led进行测试分选。

  https://www.alighting.cn/2013/7/18 16:24:50

硅基氮化镓在大功率led的研发及产业化

日前,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告,

  https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37

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