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子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59
势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。 led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271150.html2012/4/10 20:57:48
对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
素分子大小匹配性,已可获得高品质双异质结构半 导体或量子井结构的led,便能将不同种类的单晶元素逐层地建构起来。更进一步讨论,电光转换效率也就是内部结构量子化效率(interna
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271139.html2012/4/10 20:56:42
像信号并由led器件阵列组成的显示屏幕。自1994年，日本成功研制成InGaN450nm蓝(绿)色超高亮度led以来，彩色led显示屏作为新一代的显示媒体，已广泛应用在展览中心、交
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271137.html2012/4/10 20:56:34
些公司拥有原创性的专利，领导led技术发展潮流并占有主流市场。 nichia 由于在InGaN 的led技术和生产白光led的荧光粉材料上拥有多项专利，在InGaN白色led芯
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271135.html2012/4/10 20:56:26
为ingaaip)。通过这两种主要技术可以实现不同的颜色。施加1.8v-2.3v左右的正向电压，alingap可发出从绿色(570nm)到血红色(632nm)的光线。InGaN用来发出
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271130.html2012/4/10 20:55:38
州鸿利、宁波升谱、江西联创、天津天星、廊坊鑫谷、深圳瑞丰、深圳光量子、健隆光电科技有限公司等，均为国内主要封装企业。这些企业或者已打入高端显示屏、背光源、照明器件器件等门槛较高领
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271127.html2012/4/10 20:55:20
即大约７０％的电能都变成了热能。具体来说，ｌｅｄ结温的产生是由于两个因素所引起的。 （1）内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能１００％都产生光子，通常称为由“电流泄漏
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268566.html2012/3/16 17:39:17
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