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tamura中止研发氧化基板led

日本电子材料/零件商tamura已中止研发使用氧化(gallium oxide)基板的led。

  https://www.alighting.cn/news/20160114/136389.htm2016/1/14 9:36:53

日本发表使用氧化基板的gan类led元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化基板的gan类led元件,预计该元件及氧化(ga2o3)基板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12

日本开发出使用氧化基板的gan类led元件

日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化基板的gan类led元件,预计该元件及氧化(ga2o3)基板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/2011329/n797930941.htm2011/3/29 19:08:31

田村制作所展出使用氧化的白色led

田村制作所及其子公司光波公司开发出了使用氧化(β-ga2o3)的白色led,并在“日本第3届led及有机el照明展”(2013年1月16~18日于东京有明国际会展中心举行)上展

  https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06

田村制作所开发出使用氧化的白色led

田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的gan类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同

  https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25

氧化制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色[1]

与sic和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下面

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

氧化制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

美国利用氧化锌纳米线大幅提高led性能

日前,美国佐治亚理工学院的研究人员利用氧化锌纳米线大幅提升了氮化发光二极管(led)将电流转化为紫外线的效能。这个装置被认为是首个通过压电—光电效应在压电材料中产生电荷,从而

  https://www.alighting.cn/news/20111116/n786235766.htm2011/11/16 9:52:06

纳米氧化铝的分散(图)

本文论述了德国气相法纳米氧化铝的特性和其分散方法。

  https://www.alighting.cn/resource/200955/V19598.htm2009/5/5 9:35:32

纳米氧化铝的分散(图)

本文论述了德国气相法纳米氧化铝的特性和其分散方法。

  https://www.alighting.cn/news/200955/V19598.htm2009/5/5 9:35:32

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