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动时，达到正白130lm/w及暖白110lm/w，也使其芯片更适用于需要特殊光学设计的led路灯，隧道灯及led室内商用照明。EV 系列的外延工艺除了提升亮度，也降低了生长外沿时
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/1/19/308071.html2013/1/19 8:53:31
起了重视，开展了学术研究，提出了一些控制指标，如澳大利亚学者提了对控制光干扰（光污染）的光度参数最大值，包括垂直面照度（EV）、灯具发射强度（i）、限增量（ti）等；又如英国在限
http://blog.alighting.cn/1090/archive/2012/12/23/305202.html2012/12/23 8:37:38
平。因此照明要求比较复杂。2 照明设计标准根据国际照明委员会（cie）、国际体育联合会、欧洲广播联合会的有关标准，确定以下照明指标。表1 体 操 eh（ix）EV（main）EV（se
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282464.html2012/7/19 10:27:12
近pn结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度eg有关，即λ≈1240/eg（mm）式中eg的单位为电子伏特（EV）。若能产生可见光（波
http://blog.alighting.cn/135603/archive/2012/7/17/282167.html2012/7/17 11:31:23
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279116.html2012/6/20 9:51:14
定方向的发光面的面积之比。（表示发光面的明亮程度） 照度EV（勒克斯，lx=lm·m-2）：光源照到某一物体表面上的光通量与该表面面积的比值。（表征受照面被照明的程度） 光源效
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/26/230862.html2011/7/26 14:36:00
d，发现距导带1.1EV处的深能级陷阱密度从2.7×1013cm－3上升到4.2×1013cm－3，异质界面陷阱在器件光电特性退化中起着重要的作用。g.meneghesso等人用深能
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
系,可以有不同的偏振方向,并且每个粒子所发射的光沿所有可能的方向传播,这个过程称为自发发射.其发射波长可用下式来表示:λ(μm)=1.2396/eg(EV) 发光二极管(led)一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230125.html2011/7/18 23:58:00
1～1020/cm3范围。2.4gan的光学特性人们关注的gan的特性,旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。maruska和tietjen首先精确地测量了gan直接隙能量为3.39e
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值,inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7EV左右,而不是先前普遍接受的1.9EV,所以通过调节合金组分可以获得从0
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
