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利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属GA薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个GA薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3GA0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的GAn,p型层为0.15μm的mg掺杂GAn。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备GA、p掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过GA、p掺杂分别得到n、p
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au p
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
由镓(GA)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GAn主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
β-ga2o3不仅可用于功率元件，而且还可用于led芯片、各种传感器元件及摄像元件等，应用范围很广。其中，使用gan类半导体的led芯片基板是最被看好的用途。尤其值得一提的是，β-
https://www.alighting.cn/2012/4/24 15:35:09
测量了不同阱宽in0.2GA0.8as/GAas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,GA,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
b13495-92(iso6309)和消防应急照明灯具通用技术条件GA54-93的部分内容，而gb13495-92又引用了安全色gb2893的标准，这对于理解消防应急标志带来了困难，本
https://www.alighting.cn/resource/2009227/V757.htm2009/2/27 11:48:44
