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国星光电参与两项碳化硅团体标准起草及讨论会

近日,国星光电受第三代半导体联盟标委会(casas)邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(sic MOSFET)热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体

  https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56

最新研发的氧化镓MOSFET耐压超过1800v

纽约州立大学布法罗分校(university at buffalo) 宣布研制出击穿电压超过1800v的β-ga2o3 MOSFET [ke zeng et al, iee

  https://www.alighting.cn/pingce/20180906/158309.htm2018/9/6 11:00:16

MOSFET需求持续强劲,英飞凌称部分产品交期超过26周

英飞凌拟收购st半导体,据外媒报告,双方已举行了早期会谈。2017年,英飞凌营收70.63亿欧元(约82亿美元),意法半导体营收83亿美元。二者若合并则将诞生165亿美元的半导体巨

  https://www.alighting.cn/news/20180806/157924.htm2018/8/6 10:02:42

英飞凌:未来最新的照明控制形态

走在led照明控制系统前沿的英飞凌,除了满足当前照明需求,在led驱动ic、MOSFET和传感器上不断推陈出新,在高品质、高能效的产品和解决方案组合中,也让人看到其在服务未来市

  https://www.alighting.cn/news/20170602/150927.htm2017/6/2 14:50:38

rohm开发出符合aec-q101标准的超小型MOSFET“ag009dgq3”

“ag009dgq3”是实现高可靠性安装、且安装面积可比以往产品减少达64%的产品。

  https://www.alighting.cn/news/20161101/145694.htm2016/11/1 16:05:39

意法半导体推出集成了800v耐压MOSFET的开关电源ic

意法半导体公司(stmicroelectronics)2016年7月19日推出了集成有+800v耐压功率MOSFET的绝缘(off line)型开关电源“viper01”(英文发

  https://www.alighting.cn/pingce/20160728/142271.htm2016/7/28 10:44:06

vishay新款600v和650v e系列MOSFET提高可靠性并减小封装电感

e系列功率MOSFET。vishay siliconix 600v sihj8n60e和650v sihj6n65e、sihj7n65e更省空间,可替代to-252(dpak)封

  https://www.alighting.cn/pingce/20160719/142006.htm2016/7/19 9:49:46

欧切斯可控硅前沿/后沿调光旋钮曝光

欧切斯的前沿调光驱动器,abs 高阻燃性材料,耐高温耐冲击,旋转按钮即可实现在家庭、办公室、餐厅、酒吧等场所无频闪调光;而对于使用MOSFET管的后沿etv可控硅调光旋钮来说,

  https://www.alighting.cn/news/20160713/141836.htm2016/7/13 9:20:22

vishay推双片不对称功率封装12v和20v MOSFET

日前,vishay宣布推出业内首批通过aec-q101认证的采用双片不对称功率封装的12v MOSFET——sqj202ep和20v MOSFET——sqj200ep,可在汽车应

  https://www.alighting.cn/pingce/20160712/141823.htm2016/7/12 10:23:14

东微半导体成功量产直流大功率充电桩用核心芯片 可用led照明

一块手机sim卡大小的芯片,却能承载超过700伏的电压,导通电阻仅有30毫欧,实现高效低耗的电能转换。这就是新能源汽车充电桩的“心脏”MOSFET(金属氧化物半导体型场效应

  https://www.alighting.cn/pingce/20160419/139527.htm2016/4/19 9:44:55

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