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以edta 为络合剂、采用溶股-凝肢法制缝了yv04 :eu3 + 荧光粉，并制备了发光二极管(led) 。
https://www.alighting.cn/2013/1/17 16:17:32
型zno薄膜,n型zno薄膜的载流子浓度可以达到1×1019cm-3,P型zno薄膜的载流子浓度达到1.66×1016cm-3。所制备的zno薄膜具有c轴择优生长取向,并且P型zn
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。P型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
作系统的3d studio系列软件。附件是3dmax 照明分析案例lightinganalysis04，欢迎下载学
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/26/1723_85.htm2013/12/26 17:02:03
本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出P型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
美国加州大学圣芭芭拉分校(ucsb)的研究人员最近报道首个封装大功率、高效半极性(30-3-1)蓝光led(452nm),相关文章请详见ingrid l. koslow等发
https://www.alighting.cn/resource/20100826/127974.htm2010/8/26 10:02:38
led电子显示技术发展迅速，已成为当今平板显示领域的主导之一。本文着重介绍用m4a5-128P64-10vc设计led显示屏的控制电路。
https://www.alighting.cn/resource/20110728/127383.htm2011/7/28 10:34:41
2月20日-3月20日，国内外电子行业指数出现较大幅波动。在经过前一个月的大涨后，本月a股申万电子元器件指数先上涨，之后快速回落;费城半导体指数在下跌后反弹，继续往上走，本月涨
https://www.alighting.cn/2012/4/7 14:49:14
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同P层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了P层厚度即P
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和P衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到P衬底中而结合成siPn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
