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宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。P型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、P掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、P掺杂分别得到n、P
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
本文档为台湾新世纪blue ingan/gan led chiP P2 (45)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127369.htm2011/7/29 14:21:46
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同P层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了P层厚度即P
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和P衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到P衬底中而结合成siPn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出P型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜P-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
时获得了P型zno薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64ω.cm,迁移率为0.838cm2/(v.s).霍尔测试和低温光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
虽然gan leds的发展相当成功，但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的P型掺杂
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51
研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au P gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
