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高效率光子晶体发光二级led

使用光子晶晶体技术可以提高发光二极的出光效率。本论文将从两种结构来验证光子晶体技术可以提高芯片的 外部量子效率。一是倒装芯片结构的使用,即将两个发光面制

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00

利用电阻和晶体来同步闪烁led

器件(见图)代替标准led。闪烁led被用来设置 “被控”标准led闪烁的频率。当闪烁led导通时,晶体通过47欧姆电阻感应通过它的电流。然后,晶体的集电极电流驱动标准le

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133792.html2011/2/19 22:52:00

基于Si衬底的功率型gan基led制造技术

种结构芯片电流垂直分布,衬底热导率高,可靠性高;发光层背面为金属反射镜,表面有粗化结构,取光效率高。   1.3关键技术及创新性   用Si作gan发光二极衬底,虽然使le

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

光子晶体led入主液晶电视背光

阴极射线基本上已被淘汰出局了。现在走进任何一家电子商店,你会看到成排的电视和电脑液晶显示器。即便是等离子显示器技术——先前被视作技术更佳、更具竞争力的对手,现在也受到了基于最

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00

Si衬底gan基材料及器件的研究

用,被称为继以Si为代表的第一代半导体、以gaas为代表的第二代半导体后的第三代半导体。从1971年pankove[1]报道的第一个gan发光二极到nakamura[2]研制出的gan

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00

Si衬底gan基材料及器件的研究

摘要:gan具有禁带宽、热导率高等特点,广泛应用于光电子和微电子器件领域。Si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成,因而具有很高的研究价值。介

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

各种窗片棱镜晶体(尺寸要求可定制)

片 产品名称: ge窗片 产品名称: Si窗片 产品名称: kbr窗片 产品名称: kcl窗片 产品名称: nacl窗片 产品名称: bk-7窗片 产品名

  http://blog.alighting.cn/bosheng987/archive/2010/1/7/24819.html2010/1/7 16:26:00

mos的小常识

可能在普通应用电路中用晶体的比较多,用mos的相对较少一些,所以很多人会存在一个误区。(最近碰到有客户问过)下面是在网上找到的一点小常误,和大家一起分享: 一、场效应

  http://blog.alighting.cn/jananle/archive/2008/12/19/9488.html2008/12/19 18:53:00

恒流三极

压利用晶体、场效应进行扩流及升压。 应用领域: led灯、led灯条、led指示牌、led恒流源、led球泡灯 如有需求,随时联

  http://blog.alighting.cn/dgrd2008/archive/2010/9/29/100477.html2010/9/29 20:40:00

线性三极lc1920

压误差放大器,驱动功率晶体等模块。192076b9h的is反馈电压是0.6v,驱动led的电流可通过外部电阻调节,最高可达40ma,耐压最大90v。由于较高的耐压,在多灯串联的应用

  http://blog.alighting.cn/dgrd2008/archive/2010/9/29/100480.html2010/9/29 20:44:00

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