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域有限差分方法进一步讨论了无序光子晶体对石墨点阵柱状中心柱光子晶体gan发光二极管模型光输出效率的影响·计算结果表明,无序对这种光子晶体发光二极管模型光输出效率的影响较小,且这种影
https://www.alighting.cn/2013/2/1 13:16:45
为了提高gan基发光二极管(led)的外量子效率,在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(icp)干法刻蚀技术制作,然后采用金
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,Si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
利用实验室制备的a-igzo tft 器件进行参数提取后建立的spice 仿真模型并进行仿真计算,对电压驱动型2t1c 和4t1c 的像素电路进行稳定性的比较研究,证明了4t1c
https://www.alighting.cn/2015/1/4 13:44:07
tft-lcd结构。薄膜晶体管液晶显示器由显示屏、背光源及驱动电路三大核心部件组成。
https://www.alighting.cn/resource/2007912/V12781.htm2007/9/12 13:59:17
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在Si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在Si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势 ,一直是光电子集成 (oeic)工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体 ,不可能成为有效的
https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14
首次报道Si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
实验利用磁控溅射方法,采用zno陶瓷靶,以石英为衬底,制备了不同Si掺杂浓度的样品,并在氧气氛下对样品做了不同温度的快速退火和随炉温自然退火处理,为了对比,实验采用了同样的制备方
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
