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led外延片(外延)的成长工艺

今天来探讨led外延片的成长工艺,早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延

  https://www.alighting.cn/news/20080703/91561.htm2008/7/3 0:00:00

[外延技术]led外延片的生长工艺介绍

早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。

  https://www.alighting.cn/news/20091015/V21208.htm2009/10/15 10:06:19

[外延芯片]movcd生长氮化物外延层的方法

一种用movcd生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法,它采用mocvd技术

  https://www.alighting.cn/news/2009111/V21470.htm2009/11/1 12:55:15

福地电子启动led外延片项目

东莞市国资委组织并主持召开“东莞市福地电子材料有限公司‘led外延片产业化’项目评审会经过评估与论证,专家组一致认为,福地电子具备较好的产业基础,在led外延片研发和生产方面具

  https://www.alighting.cn/news/20101220/n196029708.htm2010/12/20 17:56:05

led外延芯片标准上半年有望推出

北京大学物理学院教授、北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任张国义接受记者采访时说:“led外延芯片标准评审已经通过,今年上半年可能就推出了。”

  https://www.alighting.cn/news/2012510/n881739606.htm2012/5/10 9:35:13

led的外延片生长技术介绍

延片技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀积(metal-organicchemicalvapordeposition,简称 mocvd)技术生长iii-v

  https://www.alighting.cn/news/2009118/V21609.htm2009/11/8 15:37:27

led外延片技术发展趋势及led外延片工艺

从led工作原理可知,外延片材料是led的核心部分,事实上,led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在,金属有

  https://www.alighting.cn/news/20110314/91282.htm2011/3/14 9:20:04

tdi宣布量产4吋gan磊外延片和aln磊外延

美国化合物半导体衬底大厂technology and devices international inc.(tdi)日前宣布,该公司推出4英吋,约100毫米的gan磊外延片和al

  https://www.alighting.cn/news/20070907/105476.htm2007/9/7 0:00:00

2012年led外延芯片发展状况解析

随着背光源渗透率的进一步提高及照明应用的启动,国内led外延芯片需求量将大幅提升,至2015年,国内led芯片需求量折合为2 英寸外延片将达到555 万片/月,约为2010

  https://www.alighting.cn/news/2012321/n936438331.htm2012/3/21 10:00:41

扬州:做大做强做专led外延片产业

外延片产业化是半导体照明产业的关键环节,今年1月,扬州中科半导体照明研发中心有限公司成功产出第一批氮化镓蓝光二极管高端外延片产品,在全省率先实现外延片产业化生产。

  https://www.alighting.cn/news/2009817/V20586.htm2009/8/17 11:04:18

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