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光伏路灯用石墨烯锂离子电池-lv ncr18650 sm——2020神灯奖申报技术

光伏路灯用石墨烯锂离子电池-lv ncr18650 sm,为安徽朗越能源股份有限公司2020神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20200219/166588.htm2020/2/19 17:44:35

石墨烯最新“表亲”铅烯问世

据美国《每日科学》网站近日报道,由第14族元素构成的二维材料(石墨烯的“表亲”)近年来引起极大关注,因为它们具有成为拓扑绝缘体的潜力。近日,日本科学家首次让纯理论性的铅二维蜂窝

  https://www.alighting.cn/pingce/20190530/162033.htm2019/5/30 14:03:49

4英寸氮化自支撑衬底——2019神灯奖申报技术

4英寸氮化自支撑衬底,为东莞市中半导体科技有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190326/161048.htm2019/3/26 11:23:28

gan高压交流110v-led芯片——2019神灯奖申报技术

gan高压交流110v-led芯片,为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37

钙钛矿led发光效率创记录,接近100%!

校科学家将钙钛矿层整合进发光二极管(led)内,得到的产品内部发光效率接近创纪录的100%,可与最好的有机led(oled)相媲美,未来有望应用于显示、照明、通信及下一代太阳能电池

  https://www.alighting.cn/pingce/20181112/158993.htm2018/11/12 9:47:25

最新研发的氧化mosfet耐压超过1800v

纽约州立大学布法罗分校(university at buffalo) 宣布研制出击穿电压超过1800v的β-ga2o3 mosfet [ke zeng et al, ieee el

  https://www.alighting.cn/pingce/20180906/158309.htm2018/9/6 11:00:16

松下研发出新型mis结构的sigan功率晶体管

2018年2月23日,松下宣布研发出新型mis结构的sigan功率晶体管,可以连续稳定的工作,阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加gan功率晶体管的工作速度,可以进一

  https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54

allos推新型硅氮化外延片产品,具有超过1400v的击穿电压

来自电子、微电子及纳米技术研究院 (iemn)的最新结果显示,allos即将推出的适用于1200v器件的硅氮化外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29

陶瓷5050 rgbw灯珠——2018神灯奖申报技术

陶瓷5050 rgbw灯珠,为苏州晶品新材料股份有限公司2018神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180108/154645.htm2018/1/8 9:53:23

陶瓷3535 rgbw灯珠——2018神灯奖申报技术

陶瓷3535 rgbw灯珠,为苏州晶品新材料股份有限公司2018神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180108/154643.htm2018/1/8 9:52:40

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