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功率型led芯片热超声倒装技术

结合功率型gan基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1064.htm2010/1/18 14:26:55

gan基功率型led芯片散热性能的测试与分析

与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13

功率led恒流源驱动ic_单芯片低成本免变压器方案

一份出自无锡华宇微电子有限公司产品与技术中心的,内容不错的《小功率led恒流源驱动ic_单芯片低成本免变压器方案》,现在分享给大家。

  https://www.alighting.cn/2013/3/8 11:03:22

功率型led芯片的热超声倒装技术

摘要:结合功率型gan基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接

  https://www.alighting.cn/resource/2012/6/7/111412_00.htm2012/6/7 11:14:12

3w照明led驱动芯片功率管的设计研究

本文介绍了一种照明led驱动芯片功率管的研究与设计。该芯片采用csmc 0.6um 5v标准cmos工艺设计,功率驱动管采用 ednmos结构,以提高功率管的耐压。芯片能直

  https://www.alighting.cn/2014/4/21 10:33:49

功率型led芯片的热超声倒装技术

结合功率型gan 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围

  https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47

功率型led封装技术的关键工艺

由于led芯片输入功率的不断提高,对这些功率型led的封装技术提出了更高的要求。功率型led封装技术主要应满足以下两点要求:1、封装结构要有高的取光效率,2、热阻要尽可能低,这

  https://www.alighting.cn/resource/20101101/128244.htm2010/11/1 13:33:48

光收发芯片在高速光模块中的应用和研究

光收发芯片是高速光模块的核心器件,也是光通信系统接入网的关键器件,一直以来都是光通信领域的研究热点。激光器平均光功率和消光比参数控制、实时数字诊断侦测是光模块的重要性能指标,在

  https://www.alighting.cn/resource/20140417/124667.htm2014/4/17 13:40:35

β-ga2o3用于高功率led 可将光输出提高5倍以上

β-ga2o3不仅可用于功率元件,而且还可用于led芯片、各种传感器元件及摄像元件等,应用范围很广。其中,使用gan类半导体的led芯片基板是最被看好的用途。尤其值得一提的是,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 15:35:09

解析高功率白光led的现状与改进

率、单颗功率各方面表现均有研发进展,实际上白光led仍存在发光均匀性、封装材料寿命等问题,尤其在芯片散热的应用限制,则为开发led光源应用首要必须改善的问题..

  https://www.alighting.cn/resource/20130917/125317.htm2013/9/17 10:07:54

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