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2013ls中村宇-亮度、低衰减先进led荧光粉技术

资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由北京中村宇科技有限公司的鲁路/副总工程师主讲的关于介绍《亮度、低衰减先进led荧光粉技术》讲义资料,现在分享给大家,欢迎下载附

  https://www.alighting.cn/2013/6/19 9:50:32

笔记屏幕大pk:lcd对led背光屏

大家应该都了解,与台式lcd显示器相比,笔记电脑的屏幕比较特殊,由于其不可升级性,决定了消费者选购时对屏幕的表现力期望较高;而另一方面,由于笔记整体的体积及功耗限制(部分bt

  https://www.alighting.cn/resource/20080617/128820.htm2008/6/17 0:00:00

解读封装的led 发光二管正负判别方法

文章解读了封装的led发光二管正负的判别方法,草帽led正负的判别方法,以及5050贴片led正负的判别方法。

  https://www.alighting.cn/2013/1/7 10:04:59

笔记led背光源设计方案

led 背光在笔记电脑上的应用已独领风骚,ccfl 背光在笔记电脑上的应用将逐渐退出历史的舞台。目前全球大厂都在积发展led 背光产品,目前市场的主流笔记电脑几乎全部采

  https://www.alighting.cn/2014/3/28 10:10:20

照明设计手册配套软件使用说明书

照明设计手册配套软件从功能上讲主要分为室内设计和室外设计两部分。照明设计手册配套软件使用说明书详细介绍软件的使用方法,让您更好地掌握博照明设计手册配套软件。

  https://www.alighting.cn/resource/20071226/V217.htm2007/12/26 10:54:49

低压mocvd生长参量对ⅱ型inas gasb晶格材料表面形貌的影响

采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段

  https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59

gan/aln半导体异质结带阶原胞法计算

为了对gan/aln异质结电子结构有更为深入的认识,采用原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现gan/aln为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62ev,

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127132.htm2011/9/16 14:59:00

蓝宝石衬底的光滑表面加工进展

回顾了(0001)面蓝宝石衬底在led的重要作用及其磨粒加工方法的发展进程。归纳了磨粒加工在蓝宝石衬底的光滑制备过程中的应用现状,分别对磨削、机械抛光、干式机械化学抛光、湿式机

  https://www.alighting.cn/resource/20110901/127214.htm2011/9/1 14:20:00

mocvd外延al_2o_3基algan/gan晶格的结构和光学特性

3)衬底上生长的algan/gan晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性。x射线衍射结果表明,gan基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

照明设计手册配套软件

照明设计手册配套软件从功能上讲主要分为室内设计和室外设计两部分。操作简单,使用方便,欢迎下载使用!

  https://www.alighting.cn/resource/20071226/V216.htm2007/12/26 10:46:15

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