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室温下观察到zno/znmgo 单量子阱的量子约束效应，这说明生长的单量子阱有良好的界面和结晶性质。
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126147.htm2013/1/21 9:38:45
采用量子点模型对蓝色ingan/gan多量子阱发光二极管电致发光光谱进行考察，并和实验测量结果进行了比对，结果发现，利用量子点模型计算出的自发辐射发光峰位与实验得出的电致发光的峰
https://www.alighting.cn/resource/2009911/V936.htm2009/9/11 17:27:36
本文是关于量子点led照明与显示方面的介绍，主要向大家介绍了量子点led照明与显示的背景与发展趋势，并重点介绍了pl qled及其应用。
https://www.alighting.cn/resource/20161228/147195.htm2016/12/28 14:28:44
在有效质量近似和变分原理的基础上,选取含两个变分参数的波函数,研究了纤锌矿结构的gan/alxga1-xn单量子点中类氢施主杂质体系的结合能随量子点(qd)尺寸以及杂质在量子点
https://www.alighting.cn/2013/5/24 10:08:12
本文简单的介绍了量子阱（quantum well）的定义和简要的描述，希望能够给初学者借鉴。
https://www.alighting.cn/resource/20101231/128111.htm2010/12/31 11:31:05
提高发光二极管的发光效率是当前的一个研究热点。简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(led)外量子效率的几种途径，生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯
https://www.alighting.cn/resource/20121122/126286.htm2012/11/22 14:06:05
称lrc) 宣布和evident technologies合作研制量子点纳米材料的le
https://www.alighting.cn/resource/20040627/128406.htm2004/6/27 0:00:00
本文采用表面光伏谱方法，对不同组分及阱宽的ingaas/gaas应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算，对样品的表面光伏谱进行指认，理论与实验符合得很好.
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126127.htm2013/1/23 10:46:23
利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
