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宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。P型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备ga、P掺杂的zno薄膜,分别采用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征。通过ga、P掺杂分别得到n、P
https://www.alighting.cn/2013/4/19 13:20:29
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同P层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了P层厚度即P
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和P衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到P衬底中而结合成siPn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
本文介绍使用8位微控制器(mcu)和低成本的分离解决方案来实施智能hbled照明控制，从而避免使用高昂的模拟驱动或ccd。
https://www.alighting.cn/resource/20121220/126245.htm2012/12/20 17:20:23
本文采用cu靶和al靶直流共溅射法制备出P型透明导电cu-al-o薄膜,用原子力显微镜(afm)、x射线衍射(xrd)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计等测试手段对沉积的薄
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
本文档为台湾新世纪blue ingan/gan ledchiP e0(8·10)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127368.htm2011/7/29 14:40:46
四大因素加快t5高效荧光灯替代t8低效荧光灯步伐，未来5-10年内，照明领域节能荧光灯，尤其占办公、商业照明50%以上的t5高效荧光灯将成为照明的主体。
https://www.alighting.cn/resource/2011/8/23/141232_73.htm2011/8/23 14:12:32
本文档为台湾新世纪green ingan/gan led chiP e0(8×10)led芯片的规格书。
https://www.alighting.cn/resource/20110729/127367.htm2011/7/29 14:55:59
本文以atmega8l单片机为核心给出一种智能led刹车灯的设计方案，该系统设计利用加速度传感器迅速获取车辆加速度的变化，并将结果传输至atmega8l单片机，atmega8l单
https://www.alighting.cn/resource/20081013/V17545.htm2008/10/13 11:20:34
