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凌力尔特公司推出的双路理想二极管“或”控制器ltc4355允许在高可用性系统中用n沟道MOSFET取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。
https://www.alighting.cn/news/2007419/V2343.htm2007/4/19 9:35:15
意法半导体（纽约证券交易所代码：stm)推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品。 通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全
https://www.alighting.cn/news/200728/V2285.htm2007/2/8 9:24:14
锂电池是目前能量密度很高而且很轻的电池，但是由于化学特性非常活跃，所以本身因为有安全保护的需要，而增加充放电保护电路。充放电保护电路关键元件——MOSFET也有一定比率的短路失
https://www.alighting.cn/resource/20151116/134217.htm2015/11/16 11:33:26
vishay科技目前拥有业内最广泛的半导体和被动元件产品系列，包括二极管、MOSFET、光电产品、电阻器、电感器和电容器。这使vishay科技能够提供“一站式”服务和为每个客户设
https://www.alighting.cn/news/2012224/n467337743.htm2012/2/24 11:50:47
成了MOSFET的led驱动器产品，因为这样做的好处是集成MOSFET的导通电阻少，产生的热量要比分立的少，另外，就是集成的MOSFET是控制器和fet在一起，一般都有过热关断功
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/11/17/254064.html2011/11/17 14:27:25
maxim 公司的max16834是电流模式大功率高亮度led(hb led)驱动器,可组成升压,升-降压,sepic和高边降压拓扑.除了用开关pwm控制器驱动n沟功率mosfe
https://www.alighting.cn/news/2010325/V23220.htm2010/3/25 9:57:48
美国麦瑞(micrel)上市了最多可驱动9个串联led群(英文发布资料)的ic“mic3223”。内置有导通电阻为100mω、漏电流为3.5a的n通道功率MOSFET。主要面向室
https://www.alighting.cn/news/2010422/V23492.htm2010/4/22 9:42:19
tb62d701和tb62771产品集成dc-dc升压控制器和多功率MOSFET来控制电流。并采用东芝尖端混合信号亚微米硅工艺技术将驱动和其它组件集成在一个芯片上，从而该芯片具
https://www.alighting.cn/news/20111017/114657.htm2011/10/17 9:37:24
maxim（美信）称，max16801/max16802具有262khz固定开关频率，采用电流模式控制方案。配合使用外部MOSFET，可提供大功率输出(超过50w)，并实现了较
https://www.alighting.cn/news/20110914/115335.htm2011/9/14 14:28:00
2008年11月13日 – 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(on semiconductor，美国纳斯达克上市代号：onnn)推出8款新的MOSFET器
https://www.alighting.cn/news/20081114/118884.htm2008/11/14 0:00:00
