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这是一款使用电流模式升压型dc-dc转换器电路的白色led驱动ic，dc-dc转换器电路采用pwm控制方式。集成了耐压为＋48v、导通电阻为0.12ω的功率MOSFET。
https://www.alighting.cn/news/20100706/119855.htm2010/7/6 0:00:00
近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会（casas）邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（sic MOSFET）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体
https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56
t3791采用四个外部开关MOSFET，并提供从5w到超过100w的连续led功率，效率高达98.5
https://www.alighting.cn/pingce/20120313/122476.htm2012/3/13 18:35:43
器控制器。这些器件能够以 1 a或更高的电流驱动多达 15 个 led，具体取决于外置的逻辑水平 mosfe
https://www.alighting.cn/pingce/20111201/122620.htm2011/12/1 11:45:06
压 (buck-boost) 模式运行，配合集成的60v功率MOSFET开关，可产生高达1.5a的最大led电
https://www.alighting.cn/pingce/20101214/123134.htm2010/12/14 9:24:24
i晶片，目标锁定发光二极体(led)照明市场。另外，该公司也正积极研发gan-on-gan技术，将瞄准600伏特(v)以上的功率元件应用，以取代MOSFET、igbt等矽功率元
https://www.alighting.cn/pingce/20151214/135203.htm2015/12/14 9:26:23
件MOSFET的选择以及pcb布线的设计指南̷
https://www.alighting.cn/resource/2010820/V1154.htm2010/8/20 16:08:28
文章详细介绍了基于truec2技术非隔离buck拓扑、源极驱动MOSFET，来实现极高精度led恒流控制。试验证明，全闭环truec2技术实时检测真实输出电流，免受输入电压、外
https://www.alighting.cn/2012/8/22 10:24:44
阐述了大功率半导体激光器恒流源的设计方法.该恒流源采用功率MOSFET作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流.应用结果表明该恒流源对激光器安全可靠,输出电流的短期稳定度达到
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126962.htm2011/10/25 15:12:30
司新一代功率MOSFET 和 igbt 技术的设计和开发，支持太阳能逆变器、不间断电源|稳压器 (ups)、汽车、照明和镇流器等普及应
https://www.alighting.cn/news/2008227/V14143.htm2008/2/27 9:42:50
