站内搜索
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
yabu与pushelberg这对好基友是殿堂级的设计师。纽约的w，东京丸之内的四季，就出自他们之手。相比大堂那令人惊艳的woobar，这些客房的设计显得相当克制，在专程来感
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/18/18531_97.htm2013/12/18 18:05:31
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
为改善gan 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
随着led的广泛应用，led散热问题也越来越受到重视。led散热性能好坏将直接影响到led产品的寿命，因此，解决led散热问题势在必行。本文针对led散热存在的几点误区进行分析，并
https://www.alighting.cn/resource/20131204/125045.htm2013/12/4 10:07:45
我们知道，大功率led灯珠主要构成器件为大功率led芯片，如何制造高品质led高功率晶片至关重要。今天就带大家一起来了解常见的制造大功率led芯片的方法有哪些。
https://www.alighting.cn/resource/2013/11/21/105135_80.htm2013/11/21 10:51:35
由cree公司的邵嘉平博士/科锐中国区营业总经理兼技术总监主讲介绍的关于《半导体照明器件发展现状及最新应用案例》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20131119/125104.htm2013/11/19 16:34:26
led模组现今大量使用在电子相关产品上，随着应用范围扩大以及照明系统的不断提升，约从1990年开始高功率化的要求急速上升，尤其是以白光高功率型式的需求最大，现在的照明系统上所使用之
https://www.alighting.cn/resource/20131115/125117.htm2013/11/15 14:40:27
