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led芯片的技术发展状况

性,提高了芯片寿命。2)键合技术  algainp和algainn基二极管外延片所用的衬底分别为gaas和蓝宝石,它们的导热性能都较差。为了更有效的散热和降低结温,可通过减薄衬底或去

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

用于lcd背光的led技术进步

d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子,会降低效率。  迄今为止,hbled通常采用两种主要技术制成:ingan和allngap(也称

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233133.html2011/8/20 0:08:00

led市场热潮汹涌 我国led产业面临海外市场上游瓶颈

据高工led 产业研究所调查,一些中大功率的led芯片已经开始涨价,蓝宝石材料也出现短缺,对于大功率led芯片严重依赖进口的中国企业来说,并不是一个积极信号。目前led主流芯片制

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233063.html2011/8/19 23:50:00

led芯片降价空间大 可通过三种途径

样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或sic,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

法在蓝宝石衬底上生长的蓝色gan基led外延片,外延片为多量子阱结构。芯片制造中,n欧姆接触电极采用ti/al/ti/au结构,p欧姆接触电极用氧化ni/au透明电极,焊线电极

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

晶片键合——垂直结构led的处理工艺

采用金属晶片键合的方式实现led散热是目前一种比较常见的方式,利用低热阻的金属实现热传导。晶片键合最早开始于二十多年前mems功率器件的封装,开始采用胶将晶片粘合,现在已经被金属键

  https://www.alighting.cn/news/20110818/102336.htm2011/8/18 11:30:20

vishay扩展vlmw41xx系列 提高led色彩均匀性

列采用plcc-2封装、基于蓝宝石的冷白光smd led的色域装箱和订购选

  https://www.alighting.cn/pingce/20110818/122801.htm2011/8/18 10:11:21

高亮度高纯度白光led封装技术研究

浆,从而可获得较为理想的散热效果(锡的热阻约为1 6 ℃·w-1)。2 esd静电保护我们实测发现,以sic为衬底的ingan抗esd能力(人体模式)可达1 100v以上。而一般以蓝宝

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00

gt solar正式更名为gt advanced technologies

2011年8月9日,gt advanced technologies inc.(纳斯达克股票代码:gtat)宣布,公司已从gt solar更名为gt advanced techno

  https://www.alighting.cn/news/20110817/114770.htm2011/8/17 14:30:45

同人电子年产40万led级蓝宝石晶棒一期项目投产

日前,江苏同人电子有限公司年产40万tie蓝宝石晶棒一期项目在江苏省句容市顺利投产,同人电子率先在中国实现规模化生产出6英寸以上的、高质量的led级蓝宝石晶棒,产品已通过日本、韩

  https://www.alighting.cn/news/20110817/114870.htm2011/8/17 14:13:50

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