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图形蓝宝石基gan性能的研究

在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25

n极性gan薄膜的mocvd外延生长

采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性gan薄膜。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56

外延生长|磊晶(epitaxial growth)

在合适的衬底基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的l

  https://www.alighting.cn/resource/20130201/126068.htm2013/2/1 16:14:51

蓝宝石上aln基板的mocvd外延生长

结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用mocvd在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板

  https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23

【led术语】外延生长(epitaxial growth)

在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的lpe(液相

  https://www.alighting.cn/resource/20100817/128309.htm2010/8/17 17:35:44

led芯片制作

《led芯片制作》分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/resource/20130916/125323.htm2013/9/16 13:28:28

波兰top gan公司制作gan单晶衬底

top gan是由unipress,隶属于华沙的波兰科学院的高压研究中心发展起来的,组建于2001年。

  https://www.alighting.cn/resource/20040712/128408.htm2004/7/12 0:00:00

台湾led业整合风起 晶电、国联合并

继联铨与元砷宣布合并后,晶元光电和国联光电于8月15日宣布合并,换股比例暂定为国联2.24股换晶电1股,合并后公司股本30.6亿元(新台币)。

  https://www.alighting.cn/resource/20050930/128445.htm2005/9/30 0:00:00

指向式高功率用途之chip-on-board leds

为维持舒适且均一的照明环境,指向式性与装饰用照明用途需要一种必须能够符合几项重要标准的光源。

  https://www.alighting.cn/2015/1/5 11:37:34

led蓝宝石基板介绍

蓝宝石的组成为氧化铝(al2o3),是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,其晶体结构为六方晶格结构.它常被应用的切面有a-plane,c-plane及r-plane.由于

  https://www.alighting.cn/2011/9/22 15:43:12

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