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碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (nasdaq: cree) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200v z-rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二极
https://www.alighting.cn/news/2011627/n668732779.htm2011/6/27 17:32:32
近日，国星光电受第三代半导体联盟标委会（casas）邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC mosfet）热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体
https://www.alighting.cn/news/20210622/171619.htm2021/6/22 13:53:56
美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型SiC外延晶圆，此次开发的晶圆厚100μm，可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。
https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18
本文从产品、营销、运营以及发展潜力四个方面对中国led 照明企业进行了竞争力分析。在产品竞争力上，中国led 照明产业产品线布局完善，在关键的光效指标、荧光粉专利以及上游的si
https://www.alighting.cn/resource/2012/10/8/145159_98.htm2012/10/8 14:51:59
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（SiC）与氮化镓（gan）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/resource/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/2015/2/4 9:50:56
与其他两种衬底的led 芯片相比,以SiC 为衬底的led 芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下
https://www.alighting.cn/resource/20141201/123990.htm2014/12/1 11:45:37
目前市场上led用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽SiC、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓gan，中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石，而就全球范围来看，蓝宝石衬底的led市场份
https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56
https://www.alighting.cn/2012/2/14 15:11:31
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
