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底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5algainn/碳化硅（SiC）背面出光法： 美国cre
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00
是开发蓝光led时，碳化矽(SiC)与氮化镓(gan)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114813.html2010/11/17 22:50:00
、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光led芯片，采用绝缘胶来固定芯片。） 工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114806.html2010/11/17 22:42:00
司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109110.html2010/10/20 15:39:00
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/10/18/108682.html2010/10/18 15:21:00
米(mm) 凿孔深度 rock drill hole depth 5 米(m) 纤尾尺寸 shank size 22�108 毫米(m
http://blog.alighting.cn/dongyagk200910/archive/2010/9/26/99774.html2010/9/26 14:29:00
n style="font-size: 10pt; color: black; font-family: 宋
http://blog.alighting.cn/dailyejing/archive/2010/9/1/94196.html2010/9/1 16:56:00
司在有氮化镓（gan）的碳化硅（SiC）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比别的现有技术，材料及产品放热更
http://blog.alighting.cn/jiangjunpeng/archive/2010/8/23/92308.html2010/8/23 20:49:00
d的功率大幅提高(相对现在的1w),这样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两
http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/7/1/53723.html2010/7/1 17:06:00
个关系任见谈照明：从�
http://blog.alighting.cn/renjian/archive/2010/6/11/49490.html2010/6/11 12:04:00
