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寸体单晶生长极为困难,现在所有成熟的器件都是以蓝宝石或SiC异质衬底为基础的。但从晶格匹配和电导、热导特性上看,蓝宝石还不是理想的异质外延衬底,而SiC衬底与gan之间虽然晶格失
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
界上第一只gan基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片,则使用蓝宝石、SiC和si等作为基片,如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
长在蓝宝石或SiC衬底上,但是这两种衬底部都比较昂贵,尤其是碳化硅,而且尺寸都比较小。蓝宝石还有硬度极高和不导电的缺点。为克服上述缺点,人们在用硅作衬底生长gan方面一直不断地进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
.也可以采用手工扩张,但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 c)点胶 在led支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。(对于gaas、SiC导电衬底,具有背面电极的红光、黄光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126995.html2011/1/12 0:38:00
若将蓝宝石基板厚度由100微米缩短至80微米,晶片热阻可降低20%,但不能无限制的缩短造成晶圆片破片。另外,若将kchip值提高至280w/mk(SiC),晶片热阻可降低87.5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00
可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯片亮度的方法,倒装焊芯片的电极与热沉芯片(硅、铜、氮化镓(gan)、钼、碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
类是美国cree公司为代表的SiC衬底。传统的蓝宝石衬底gan芯片结构,电极刚好位于芯片的出光面。在这种结构中,小部分p-gan层和"发光"层被刻蚀,以便与下面的n-gan层形成电接
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
将SiC基板的端面倾斜放置,接着制作凹凸状电极,藉此改变光线的入射角,达到抑制光线反射的效果,该公司计划未来将组件上下反转进行flip chip连接,同时在发光层设置mirror使光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00