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采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性gan薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用mocvd在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
近几年，随着技术的突破，应用的拓展，过去曾不受人们关注的发光二极管(led)一下子成为世界各国竞相开发的高新技术，同时，我国也把led技术列为“十一五”重大科技攻关领域之一
https://www.alighting.cn/news/2007210/V7924.htm2007/2/10 12:01:37
采用分子束外延方法在室温下于si(001)表面上生长zno材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的zno混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15
在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
生产外延片和芯片的某厂家称，如果技术工艺不成熟，难以支持个性化调试的话，还是不会考虑国产设备的。
https://www.alighting.cn/news/2012914/n919043466.htm2012/9/14 8:53:54
联创光电(600363)是国家火炬计划重点高新技术企业，国家“863计划”成果产业化基地，国家“铟镓氮led外延片
https://www.alighting.cn/news/20071026/V4067.htm2007/10/26 9:43:16
从2010年一季度末，全球led芯片及外延片开始涨价。目前芯片涨幅已经接近50%，预计第三季度价格仍在高位盘整。
https://www.alighting.cn/news/2010919/V25266.htm2010/9/19 9:52:49
由于市场需求强劲，上游led芯片和外延片生长的价格都将会迅速上涨，因此，这可能会推动led背光产品价格增长5%-10%。
https://www.alighting.cn/news/2010518/V23731.htm2010/5/18 9:19:50
