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led外延(外延)的成长工艺

今天来探讨led外延的成长工艺,早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延上制作数以千计的芯,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延上也只能完成一两百个大型芯外延

  https://www.alighting.cn/news/20080703/91561.htm2008/7/3 0:00:00

福地电子启动led外延项目

东莞市国资委组织并主持召开“东莞市福地电子材料有限公司‘led外延产业化’项目评审会经过评估与论证,专家组一致认为,福地电子具备较好的产业基础,在led外延研发和生产方面具

  https://www.alighting.cn/news/20101220/n196029708.htm2010/12/20 17:56:05

[外延技术]led外延的生长工艺介绍

早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延上制作数以千计的芯,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延上也只能完成一两百个大型芯

  https://www.alighting.cn/news/20091015/V21208.htm2009/10/15 10:06:19

led外延的生长工艺介绍

早期在小积体电路时代,每一个6吋的外延上制作数以千计的芯,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8吋的外延上也只能完成一两百个大型芯外延的制造虽动輒投资数百亿,但却是所

  https://www.alighting.cn/resource/20091013/128998.htm2009/10/13 0:00:00

led外延成长工艺的解决方案

早期在小积体电路时代,每一个6寸的外延上制作数以千计的芯,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8寸的外延上也只能完成一两百个大型芯外延的制造虽动辄投资数百亿,但却是所

  https://www.alighting.cn/resource/20170117/147667.htm2017/1/17 14:00:39

tdi宣布量产4吋gan磊外延和aln磊外延

美国化合物半导体衬底大厂technology and devices international inc.(tdi)日前宣布,该公司推出4英吋,约100毫米的gan磊外延和al

  https://www.alighting.cn/news/20070907/105476.htm2007/9/7 0:00:00

led外延介绍以及辨别外延质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

扬州:做大做强做专led外延产业

外延产业化是半导体照明产业的关键环节,今年1月,扬州中科半导体照明研发中心有限公司成功产出第一批氮化镓蓝光二极管高端外延产品,在全省率先实现外延产业化生产。

  https://www.alighting.cn/news/2009817/V20586.htm2009/8/17 11:04:18

led的外延生长技术介绍

目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6机比较成熟,20左右的机台还在成熟中,数较多后导致外延均匀性不够。发展趋势是两个方向:一是开发可一次在反应室

  https://www.alighting.cn/resource/20100727/128331.htm2010/7/27 13:17:38

led的外延生长技术介绍

目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6机比较成熟,20左右的机台还在成熟中,数较多后导致外延均匀性不够。发展趋势是两个方向:一是开发可一次在反应室

  https://www.alighting.cn/news/2010531/V23876.htm2010/5/31 9:04:18

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