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量，在电场的驱动下，克服Pn结的电场，由n区跃迁到P区，这些电子与P区的空穴发生复合。由于漂移到P区的自由电子具有高于P区价电子的能量，复合时电子回到低能量态，多余的能量以光子的形式放
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/5/14/274356.html2012/5/14 14:13:49
1、什麼是led的结温？ led的基本结构是一个半导体的P—n结。实验指出，当电流流过led元件时，P—n结的温度将上升，严格意义上说，就把P—n结区的温度定义为led的结温。通
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274790.html2012/5/16 21:31:57
辆电子设备的抗扰度测试,波形完全满足iso-7637-2(2004版)标准中P1和P2a脉冲要求. 脉冲P1 模拟由于关断感性负载（如雨刷器马达）产生的脉冲对其他并联的汽车电子产
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46187.html2010/5/26 11:53:00
si衬底led芯片制造工艺 si衬底led封装技术 解决方案： 采用多种在线控制技术 通过调节P型层镁浓度结构 采用多层金属结构 1993年世
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
w （P3，P4）3、正常工作电流:350ma-700ma, 700ma工作时光通量是350ma工作时的1、65倍，最大支持1000ma 4、典型电压值3、3v(350ma)，3、75
http://blog.alighting.cn/andylau88645/archive/2009/8/13/10198.html2009/8/13 18:06:00
http://blog.alighting.cn/andylau88645/archive/2009/8/13/10199.html2009/8/13 18:07:00
规格主要有:1812封装 3kv 100P 220P 330P 470P 1000P…(无极灯电源专用,代替红色cbb)0805/1206/1210封装 500-1kv 47
http://blog.alighting.cn/s415998493/archive/2011/6/27/227840.html2011/6/27 10:38:00
早应用半导体 P-n 结发光原理制成的 led 光源问世于 20 世纪 60 年代初。当时所用的材料是 gaasP ，发红光（ λ P =650nm ），在驱动电流为 20 毫安
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/15/317211.html2013/5/15 10:53:53
共包含 gb1003-2008图1三相插头16a(16个点）1件gb1003-2008图1三相插头25a(16个点）1件gb1003-2008图1三相插头36a(16个点）1
http://blog.alighting.cn/alexzdj/archive/2011/3/12/140395.html2011/3/12 13:27:00
n缓冲层→生长n型gan→生长ingan/gan多量子阱发光层→生长P型aigan层→生长P型gan层→键合带ag反光层并形成P型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
