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Si衬底gAn基材料及器件的研究

长的外延技术主要有金属有机物化学汽相淀积(mocvd)[3,4]、分子束外延(mbe)[5]、氢化物汽相外延(hvpe)[6] 等。2.1 mocvdmocvd是一种非平衡生长技

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gAn基发光二极管的可靠性研究进展

℃,与之对应led退化率也很小,所以引起塑料封装材料变化,对led的寿命有重要的影响的温度范围是135~145℃,另外,在大电流条件下,封装材料甚至会碳化[4-6],在器件表面生

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oled显示模块与c8051f单片机的接口设计

1f020_output_config() {p2mdout = 0x00; //配置p2.5(lcd_wr),p2.6(lcd_rd),         //p2.7(lcd_r

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230345.html2011/7/20 0:19:00

光纤照明和led照明的比较

后,色彩更显柔和纯净,给人的视觉效果非常突出。 6)一般的光源所发生的光谱不仅包括了可见光,还包括了红外线和紫外线。在一些特殊场合,红外线和紫外线都是我们避免的,比如文物照明。由于塑

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照明led的特性测量

得了一定的成果。但led的物理测量问题,至今尚未全部解决。2004年6月cie在日本再次举行cie led专家研讨会(cie led expert SympoSium),进一步探

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led封装结构及其技术

到70mA、100mA甚至1A级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表

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白色发光二极管及其驱动电路

0%的ntSc色阶,而ccfl仅为70%。色阶的扩充使lcd影像色度更饱和、更逼真;可使lcd厚度更薄,在18英寸lcd模块中,led背光厚度为4mm~6mm,ccfl为8mm~1

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基于At91m42800A的led显示系统设计

图2485接口电路、A6b595和A6276级联电路原理图位(2 mb),8/16位数据宽度,本系统采用16位数据宽度的工作方式。具体的电路连接可参阅参考文献[1]。  行驱动电路

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基于微控制器的led驱动器拓扑、权衡和局限

率。1、使用串联电阻器(线性法)调节电流的最简单方式就是加一个串联电阻器,如图2A所示。其优点在于成本低、实施简单,而且不会由于开关而产生噪音。不幸的是,这种拓扑有两个主要缺陷:第

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led照明的直流驱动电路设计新方法

实上它会随电流升高而增大,但这些公式使设计计算的结果在实际电路所用器件的容差范围内。此外,vin与vf之间的差值小于它们中的任何一个,所以6.2μS的上升时间将基本上取决于这些电压

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