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led照明要普及,封装成本需降低10倍

国外市场研究机构yole développement发布了“led产业现状”的最新报告,报告预测封装led每流明的成本还需要降低10倍才能促使led照明的大规模应用与普及。

  https://www.alighting.cn/news/20120813/88830.htm2012/8/13 15:41:14

美国能源部选定soraa引领GaN基质研发项目

美国能源部(doe)下属能源转换机构arpa-e已经选定氮化镓对氮化镓(GaN-on-GaN)新成立公司soraa来引领GaN基质研发项目。

  https://www.alighting.cn/news/2012810/n169042119.htm2012/8/10 11:43:37

投资火热,GaN市场2013年起飞

自2011年以来,50-250伏特(v)负载点(point-of-load)及高阶功率元件的市场需求不断高涨,而目前新的GaN元件规格已能符合此一耐压区间,将借更优异的材料特

  https://www.alighting.cn/news/20120730/89039.htm2012/7/30 10:53:31

四联光电与soitec就GaN晶体模板达成协议

世界领先的电子及能源产业的半导体材料生产和制造商soitec与照明行业的材料、设备和系统供应商重庆四联光电科技有限公司就共同使用hvpe制造氮化镓(GaN)达成了协议。

  https://www.alighting.cn/news/20120711/113188.htm2012/7/11 10:12:51

首尔半导体加入GaN基板阵营,npola性价比高动摇蓝宝石基板地位

唯首尔半导体以封装大厂身份积极加入GaN同质外延阵营,或对市场构成强烈的冲击。首尔半导体长期受制于其外延芯片产能限制,较大部分芯片资源来自集团外部,因此成本不具竞争力,在韩系三巨

  https://www.alighting.cn/news/20120710/113328.htm2012/7/10 10:18:36

东芝与普瑞光电合作制造出8英寸矽衬底led芯片

虽然东芝和普瑞光电合作仅数月,他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN,所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v,电流为350ma的情况下该芯片功耗为61

  https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52

爱思强与波兰华沙大学签订mocvd系统新订单

德国爱思强股份有限公司今日宣布,与波兰华沙大学签订mocvd 系统新订单。根据合同,华沙大学订购了一台3x2 英寸规格的近耦合喷淋头(ccs)反应器,将用于氮化镓(GaN)材

  https://www.alighting.cn/news/20120509/113375.htm2012/5/9 10:36:35

日本开发出使led发光效率提高1倍的GaN晶圆

日本碍子称,开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透

  https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39

从价格厮杀到火拼技术 led格局大改变

员研发出了新型超高亮度led食品均匀照明技术,该技术对led照明与反射技术进行了集成,将很好解决食品照明问题。而日本东京大学则致力于研发新款矽胶制led,与目前的氮化镓(GaN)

  https://www.alighting.cn/news/201254/n134639441.htm2012/5/4 16:03:26

丰田合成联合昭和电工合资设led芯片合资企业

4月27日,日本led制造商丰田合成和昭和电工宣布组建合资企业,生产GaN基led芯片,以解决高端led芯片应用市场。丰田合成与昭和电工在2009年曾签署了一项专利交叉许可协议。

  https://www.alighting.cn/news/201254/n808139433.htm2012/5/4 10:27:55

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