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聚乙炔、聚噻吩及其衍生物的有机共轭聚合物。近年来，人们发现在发光与其它性能都比较优良的聚合物中，电致发光薄膜材料有Pbd,PbP,Prl,Pmma,PPv, P vcz等。 在国
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
以P管s1和n管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的宽长比为x(w／l)，s4的宽长比为y(w／
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
率。而芯片贴合金属衬底更可以在n-gan表面制作光学微结构，如图二所示,提高外部量子效率效果会更好。芯片贴合芯片：利用热压超声波芯片贴合技术将led芯片的P型氮化镓与金属衬底贴合，形
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
数： δil= 65% 相关参数计算及设定： 输出电压： vout=24s×3.2v=76.8v 输出电流： iout=12P×20ma=240ma 输出功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127034.html2011/1/12 16:40:00
1区、2区）不同电气设备使用安全级别的划分。如旋转电机选型分为隔爆型（代号d）、正压型（P）、增安型（e）、无火花型（n）2)2)气体或蒸气爆炸性混合物等级的划分，分为ⅱa、ⅱb、
http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2011/1/25/128787.html2011/1/25 11:25:00
低。 led驱动器电路 图3中的设计显示了一个恒流斩波驱动器，它可为用于提供lcd侧背光的led串提供带有10%纹波电流的直流电流。直通开关器件P沟道fet可为led串提
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133820.html2011/2/19 23:14:00
数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由P型和n型半导体构成的Pn结管芯，当注入Pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00
8P系列、中国台湾mdt公司的mdt系列等。 3．2控制电路设计简介 采用Pic819作为控制芯片，晶振选用20 mhz。一条指令执行时间为0.25 μs。如图2为斩波调压控
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133840.html2011/2/19 23:23:00
数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由P型和n型半导体构成的Pn结管芯，当注入Pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00
有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由P型和n型半导体构成的Pn结管芯，当注入Pn结的少数载流子与多数载流子复
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
