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led显示屏电源与功率的计算方法

h16(2r1g1b)],P16的点间距为:16mm; P20的点间距为:20mm; P12的点间距为:12m

  https://www.alighting.cn/resource/20160920/144336.htm2016/9/20 10:24:45

碳酸铯修饰al作为反射阴极的倒置顶发射oled器件

在有源( am) 显示中, 控制oled的薄膜晶体管(thin film transistor, tft)通常制作于阳极一侧,这就要求tft必须是P型,而常规的非晶硅tft和多晶

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:15:36

led内部结构及失效模式分析

led其核心是Pn结,Pn结是指在P型半导体和n型半导体之间的一个过渡层。在一定条件下,如图1.1所示,Pn结中,电子从n型材料扩散到P区,而空穴从P型材料扩散到n区,就在Pn结

  https://www.alighting.cn/2015/1/14 16:41:55

应用技术基于单片机的全彩oled驱动控制电路

根据有机电致发光显示器件的特性,以PhiliPs单片机P89c51rd2为核心,集成了oled驱动控制器ssd1338u2和外围电路,设计了一种oled驱动控制电路。

  https://www.alighting.cn/2014/12/22 16:58:17

[研发故事] 率先让蓝色led发光的赤崎和天野(下)

赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下,制作出了比以往的Pn结型更亮的蓝色led。是在P型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13

gan基蓝光led关键技术进展

本文首先综述了gan基材料的基本特性,分析了gan基蓝光led制程的关键技术如金属有机物气相外延,P型掺杂,欧姆接触,刻蚀工艺,芯片切割技术,介绍了目前各项技术的工艺现状,最后指

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124155.htm2014/10/29 11:16:21

led光电参数定义及其详解

led 的实质性结构是半导体Pn 结,核心部分由P 型半导体和n 型半导体组成的晶片,在P 型半导体和n 型半导体之间有一个过渡层,称为Pn 结。其发光原理可以用Pn 结的能带结

  https://www.alighting.cn/resource/2014/7/10/101123_26.htm2014/7/10 10:11:23

led照明散热技术及实例分析

半导体发光二极管(简称led)是由一块电致发光的半导体材料构成。其核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片,在P型与n型半导体之间有一个过渡层,成为P-n结。在正向电压下,电

  https://www.alighting.cn/resource/20140217/124853.htm2014/2/17 14:07:41

基于mcu的红外遥控智能家用照明系统的设计

文章介绍了红外遥控发射器nb9148芯片的特性。在红外遥控接收装置中,传统的方法是采用专用的红外遥控接收器nb9149但带来种种限制,因此,本文直接采用em78P156e单片

  https://www.alighting.cn/2014/1/15 16:30:37

大功率白光led高效均流并联供电系统

压,利用两个Pmos(P—channel metal—oxide—semiconductor)电子开关分别控制两个dc/dc支路实现均

  https://www.alighting.cn/resource/20140106/124939.htm2014/1/6 10:36:58

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